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Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB65CH X0G

Name: TSM2NB65CH X0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM2NB65CH X0G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (437 reviews)

Numero parte MFG: TSM2NB65CH X0G

quantità disponibile: 22740 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM2NB65CH X0G.pdf

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TSM2NB65CH X0G specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM2NB65CH X0G
Numero di parte futuro	FT-TSM2NB65CH X0G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM2NB65CH X0G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	65W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM2NB65CH X0G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM2NB65CH X0G-FT

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