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Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7000KCT B0G

Name: TSM2N7000KCT B0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM2N7000KCT B0G
Price: 0.058792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (52 reviews)

Numero parte MFG: TSM2N7000KCT B0G

quantità disponibile: 64600 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.058792

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fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM2N7000KCT B0G.pdf

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TSM2N7000KCT B0G specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM2N7000KCT B0G
Numero di parte futuro	FT-TSM2N7000KCT B0G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM2N7000KCT B0G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7.32pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM2N7000KCT B0G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM2N7000KCT B0G-FT

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