casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM1N45CT B0G
codice articolo del costruttore | TSM1N45CT B0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM1N45CT B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM1N45CT B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM1N45CT B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM1N45CT B0G-FT |
TSM7N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM9N90ECZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM5NC50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM15N50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM85N10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM80N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB099CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM190N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM100N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel