casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM1N45CT B0G
codice articolo del costruttore | TSM1N45CT B0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM1N45CT B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM1N45CT B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM1N45CT B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM1N45CT B0G-FT |
TSM7N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM9N90ECZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM5NC50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM15N50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM85N10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM80N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB099CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM190N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM100N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation