casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM150P04LCS RLG
codice articolo del costruttore | TSM150P04LCS RLG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TSM150P04LCS RLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM150P04LCS RLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2783pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 12.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM150P04LCS RLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM150P04LCS RLG-FT |
TSM15N50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM85N10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM80N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB099CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM190N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM100N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB190CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM13N50ACZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM210N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4NB60CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel