casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / TS8P02GHD2G
codice articolo del costruttore | TS8P02GHD2G |
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Numero di parte futuro | FT-TS8P02GHD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TS8P02GHD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, TS-6P |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-6P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS8P02GHD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TS8P02GHD2G-FT |
TS10P01GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10P02G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10P02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10P03G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10P03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10P03GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10P03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10P04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFEC1E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-2
Intel
EP4CE22F17C8LN
Intel
EPF10K100EFC256-2X
Intel
EP3SE110F1152I4
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL060V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40I1SG
Intel