casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / TS10P03GHD2G
codice articolo del costruttore | TS10P03GHD2G |
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Numero di parte futuro | FT-TS10P03GHD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TS10P03GHD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, TS-6P |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-6P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS10P03GHD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TS10P03GHD2G-FT |
GBLA06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBLA08 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBLA08HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBLA10 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBLA10HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL04 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL08 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL10 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL204 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL206 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP3C5F256I7
Intel
XC4006E-4PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation