casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / TS820-600B
codice articolo del costruttore | TS820-600B |
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Numero di parte futuro | FT-TS820-600B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TS820-600B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 600V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.6V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 5A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 8A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Corrente - Off Stato (max) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 70A, 73A |
SCR Type | Sensitive Gate |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS820-600B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TS820-600B-FT |
VS-ST1230C14K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C14K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C04K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V3000-4FGG676C
Xilinx Inc.
A40MX02-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VFX70T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC2V6000-4FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPL84
Microsemi Corporation
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5NES
Intel
EP3SE50F780C4N
Intel
EPF10K100ARI240-3N
Intel
EP1K10QC208-3
Intel