casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / VS-ST1230C16K1P
codice articolo del costruttore | VS-ST1230C16K1P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-ST1230C16K1P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-ST1230C16K1P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 1.6kV |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200mA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.62V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 1745A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 3200A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 600mA |
Corrente - Off Stato (max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 28200A, 29500A |
SCR Type | Standard Recovery |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-200AC, K-PUK, A-24 |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-24 (K-Puk) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ST1230C16K1P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ST1230C16K1P-FT |
10TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP2-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG676C
Xilinx Inc.
XCV600E-8FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-10FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484M
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
10AX027E4F29I3LG
Intel
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation