casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / TS20P07GHD2G
codice articolo del costruttore | TS20P07GHD2G |
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Numero di parte futuro | FT-TS20P07GHD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TS20P07GHD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, TS-6P |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-6P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS20P07GHD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TS20P07GHD2G-FT |
DBL155G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL157G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL159G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL206G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL207G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL209G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBL107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
YBS3004G
Taiwan Semiconductor Corporation
YBS3005G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel