casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / TS10P07GHD2G
codice articolo del costruttore | TS10P07GHD2G |
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Numero di parte futuro | FT-TS10P07GHD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TS10P07GHD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, TS-6P |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-6P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS10P07GHD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TS10P07GHD2G-FT |
DBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL101GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL104GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL105GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL106GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGSMD6K3F40C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel