casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBL101GHC1G
codice articolo del costruttore | DBL101GHC1G |
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Numero di parte futuro | FT-DBL101GHC1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DBL101GHC1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL101GHC1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBL101GHC1G-FT |
DBLS157G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS158G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS204G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel