casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / TS10P06GHC2G
codice articolo del costruttore | TS10P06GHC2G |
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Numero di parte futuro | FT-TS10P06GHC2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TS10P06GHC2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, TS-6P |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-6P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS10P06GHC2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TS10P06GHC2G-FT |
GBL204 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL206 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL207 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL101GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
10AX027E2F27E2SG
Intel
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP20K400ERC208-1
Intel