casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / TS10P06GHC2G
codice articolo del costruttore | TS10P06GHC2G |
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Numero di parte futuro | FT-TS10P06GHC2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TS10P06GHC2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, TS-6P |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-6P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS10P06GHC2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TS10P06GHC2G-FT |
GBL204 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL206 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL207 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL101GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel