casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBL08 D2G
codice articolo del costruttore | GBL08 D2G |
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Numero di parte futuro | FT-GBL08 D2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBL08 D2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL08 D2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBL08 D2G-FT |
DBLS107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS107GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS152G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS155G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS155G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS156G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS156G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS157G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS158G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel