casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S3MHE3/57T
codice articolo del costruttore | S3MHE3/57T |
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Numero di parte futuro | FT-S3MHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3MHE3/57T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3MHE3/57T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S3MHE3/57T-FT |
ES3C-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3CHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3CHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3D/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3DHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel