casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPWR8004PL,L1Q
codice articolo del costruttore | TPWR8004PL,L1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TPWR8004PL,L1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIX-H |
TPWR8004PL,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9600pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta), 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DSOP Advance |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPWR8004PL,L1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPWR8004PL,L1Q-FT |
TPCC8002-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8002-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8003-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8006-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8A01-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH12008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel