casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPW4R008NH,L1Q
codice articolo del costruttore | TPW4R008NH,L1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TPW4R008NH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPW4R008NH,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 116A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DSOP Advance |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPW4R008NH,L1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPW4R008NH,L1Q-FT |
TPCC8001-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8002-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8002-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8003-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8006-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCC8A01-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel