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Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q

Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PL,L1Q
Price: 1.12 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (292 reviews)

Numero parte MFG: TPW1R306PL,L1Q

quantità disponibile: 74060 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.12

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPW1R306PL,L1Q.pdf

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TPW1R306PL,L1Q specificazioni

codice articolo del costruttore	TPW1R306PL,L1Q
Numero di parte futuro	FT-TPW1R306PL,L1Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIX-H
TPW1R306PL,L1Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	260A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8100pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DSOP Advance
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPW1R306PL,L1Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPW1R306PL,L1Q-FT

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