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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L13TU(T5L,F,T)

Name: SSM6L13TU(T5L,F,T)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6L13TU(T5L,F,T)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (433 reviews)

Numero parte MFG: SSM6L13TU(T5L,F,T)

quantità disponibile: 82870 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SSM6L13TU(T5L,F,T).pdf

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SSM6L13TU(T5L,F,T) specificazioni

codice articolo del costruttore	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Numero di parte futuro	FT-SSM6L13TU(T5L,F,T)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SSM6L13TU(T5L,F,T) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V, 250pF @ 10V
Potenza - Max	500mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore	UF6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6L13TU(T5L,F,T) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SSM6L13TU(T5L,F,T)-FT

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