casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Tiristori / TPI12011N
codice articolo del costruttore | TPI12011N |
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Numero di parte futuro | FT-TPI12011N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TPI |
TPI12011N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tensione - Breakover | 160V |
Voltaggio - Off State | - |
Tensione - Acceso | - |
Corrente - Impulso di picco (8 / 20μs) | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 30A |
Corrente: attesa (Ih) | 150mA |
Numero di elementi | 1 |
Capacità | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPI12011N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPI12011N-FT |
TISP3072F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3082F3DR
Bourns Inc.
TISP3082F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3125F3DR
Bourns Inc.
TISP3125F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3150F3DR
Bourns Inc.
TISP3150F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3180F3DR
Bourns Inc.
TISP3180F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3240F3DR
Bourns Inc.
A54SX16A-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S200-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC2S400E-6FGG456C
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-FG256I
Microsemi Corporation
APA450-FG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA7H2F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
LCMXO256E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QI208-2
Intel