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Transphorm TPH3208LDG
- Numero parte MFG
- TPH3208LDG
- quantità disponibile
- 80360 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 9.08
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Transphorm
- Breve descrizione
- - GANFET N-CH 650V 20A PQFN
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- TPH3208LDG.pdf
TPH3208LDG specificazioni
| codice articolo del costruttore | TPH3208LDG |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-TPH3208LDG |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| TPH3208LDG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Vgs (massimo) | ±18V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-PQFN (8x8) |
| Pacchetto / caso | 3-PowerDFN |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPH3208LDG Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | TPH3208LDG-FT |
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