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Vishay Siliconix IRFSL9N60A

Numero parte MFG
IRFSL9N60A
quantità disponibile
53570 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-IRFSL9N60A
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRFSL9N60A Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-262-3
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL9N60A Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFSL9N60A-FT

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