casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPH3206LDB
codice articolo del costruttore | TPH3206LDB |
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Numero di parte futuro | FT-TPH3206LDB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPH3206LDB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±18V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 81W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (8x8) |
Pacchetto / caso | 4-PowerDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3206LDB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPH3206LDB-FT |
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