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Transphorm TPH3206LDB

Name: TPH3206LDB
Brand: Transphorm
SKU: TPH3206LDB
Availability: InStock
Rating: 4.5 (754 reviews)

Numero parte MFG: TPH3206LDB

quantità disponibile: 39220 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Transphorm

Breve descrizione: - GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPH3206LDB.pdf

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TPH3206LDB specificazioni

codice articolo del costruttore	TPH3206LDB
Numero di parte futuro	FT-TPH3206LDB
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TPH3206LDB Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 480V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	81W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PQFN (8x8)
Pacchetto / caso	4-PowerDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH3206LDB Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPH3206LDB-FT

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