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Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH,L1Q

Name: TPH2010FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2010FNH,L1Q
Price: 0.476 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (429 reviews)

Numero parte MFG: TPH2010FNH,L1Q

quantità disponibile: 29550 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.476

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPH2010FNH,L1Q.pdf

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TPH2010FNH,L1Q specificazioni

codice articolo del costruttore	TPH2010FNH,L1Q
Numero di parte futuro	FT-TPH2010FNH,L1Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVIII-H
TPH2010FNH,L1Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH2010FNH,L1Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPH2010FNH,L1Q-FT

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