casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD2E001DRYRG4
codice articolo del costruttore | TPD2E001DRYRG4 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TPD2E001DRYRG4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD2E001DRYRG4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Steering (Rail to Rail) |
Canali unidirezionali | 2 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 11V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | Yes |
applicazioni | Ethernet |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SON (1.45x1) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E001DRYRG4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD2E001DRYRG4-FT |
DF2B29FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B36FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B20M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6USL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation