casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD1E10B09DPYT
codice articolo del costruttore | TPD1E10B09DPYT |
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Numero di parte futuro | FT-TPD1E10B09DPYT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E10B09DPYT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 9V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 9.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 20V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 4.5A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 90W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X1SON (1x.60) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09DPYT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD1E10B09DPYT-FT |
DF2B6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S16CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M1CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4VFX140-10FF1517C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2N
Intel
5SGXMA3E1H29C1N
Intel
10AX027H2F34E2SG
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
5SGSMD5H3F35I4
Intel
LAXP2-8E-5MN132E
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200RC240-3
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel