casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / DF2S8.2CT,L3F
codice articolo del costruttore | DF2S8.2CT,L3F |
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Numero di parte futuro | FT-DF2S8.2CT,L3F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF2S8.2CT,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 6.5V |
Voltage - Breakdown (Min) | 7.7V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 20pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-882 |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2S8.2CT,L3F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF2S8.2CT,L3F-FT |
LCE15-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE15-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE15A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE15A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE16-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE16-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE16A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE16A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE18A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE18A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel