casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD1E10B09DPYR
codice articolo del costruttore | TPD1E10B09DPYR |
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Numero di parte futuro | FT-TPD1E10B09DPYR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E10B09DPYR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 9V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 9.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 20V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 4.5A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 90W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X1SON (1x.60) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09DPYR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD1E10B09DPYR-FT |
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
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DF2S8.2CT,L3F
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DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20CT,L3F
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DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
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DF2S6.8CT(TPL3)
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DF2S6.8UCT(TPL3)
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DF2S12FU,H3F
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