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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M

Name: TPCF8B01(TE85L,F,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCF8B01(TE85L,F,M
Availability: InStock
Rating: 4.8 (28 reviews)

Numero parte MFG: TPCF8B01(TE85L,F,M

quantità disponibile: 31610 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf

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TPCF8B01(TE85L,F,M specificazioni

codice articolo del costruttore	TPCF8B01(TE85L,F,M
Numero di parte futuro	FT-TPCF8B01(TE85L,F,M
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII
TPCF8B01(TE85L,F,M Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 10V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	330mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VS-8 (2.9x1.5)
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCF8B01(TE85L,F,M Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPCF8B01(TE85L,F,M-FT

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