casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPCA8018-H(TE12LQM
codice articolo del costruttore | TPCA8018-H(TE12LQM |
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Numero di parte futuro | FT-TPCA8018-H(TE12LQM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPCA8018-H(TE12LQM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2846pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPCA8018-H(TE12LQM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPCA8018-H(TE12LQM-FT |
SIR798DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR820DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR826DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR846ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR870ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR871DP-T1-GE3
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SIR872ADP-T1-RE3
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SIRA52DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SISC050N10DX1SA1
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SISC097N24DX1SA1
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ICE40UL640-SWG16ITR50
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A54SX16P-VQ100M
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