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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H(TE12LQM)

Name: TPC8A06-H(TE12LQM)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8A06-H(TE12LQM)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (437 reviews)

Numero parte MFG: TPC8A06-H(TE12LQM)

quantità disponibile: 62220 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPC8A06-H(TE12LQM).pdf

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TPC8A06-H(TE12LQM) specificazioni

codice articolo del costruttore	TPC8A06-H(TE12LQM)
Numero di parte futuro	FT-TPC8A06-H(TE12LQM)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TPC8A06-H(TE12LQM) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.1 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 10V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8A06-H(TE12LQM) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPC8A06-H(TE12LQM)-FT

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