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codice articolo del costruttore | SI4666DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4666DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4666DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1145pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4666DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4666DY-T1-GE3-FT |
SI4178DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4178DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4190ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4190DY-T1-GE3
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SI4196DY-T1-E3
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SI4320DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4320DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4322DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4322DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4324DY-T1-E3
Vishay Siliconix
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel