codice articolo del costruttore | TN6717A |
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Numero di parte futuro | FT-TN6717A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN6717A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 10mA, 250mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 250mA, 1V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-226-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN6717A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TN6717A-FT |
JAN2N6299
Microsemi Corporation
2N6317
Microsemi Corporation
JANTX2N3740
Microsemi Corporation
JANTX2N6298
Microsemi Corporation
2N5578
Microsemi Corporation
2N4029
Microsemi Corporation
2N3700UB
Microsemi Corporation
JANS2N2369AUB
Microsemi Corporation
2N3637UB
Microsemi Corporation
2N2222AUB
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX25-3FGG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27I7
Intel
5SGXMABK3H40C4N
Intel
XC7A15T-2CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE55F29C8
Intel