casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1012X-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI1012X-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1012X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1012X-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-3 |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1012X-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1012X-T1-E3-FT |
IRF634NLPBF
Vishay Siliconix
IRF640L
Vishay Siliconix
IRF640LPBF
Vishay Siliconix
IRF644L
Vishay Siliconix
IRF644NLPBF
Vishay Siliconix
IRF710L
Vishay Siliconix
IRF720L
Vishay Siliconix
IRF730AL
Vishay Siliconix
IRF730ALPBF
Vishay Siliconix
IRF730L
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel