casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK65E10N1,S1X
codice articolo del costruttore | TK65E10N1,S1X |
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Numero di parte futuro | FT-TK65E10N1,S1X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK65E10N1,S1X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 148A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 32.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 192W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK65E10N1,S1X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK65E10N1,S1X-FT |
IRL3302L
Vishay Siliconix
IRL3402L
Vishay Siliconix
IRL3502L
Vishay Siliconix
IRL510L
Vishay Siliconix
IRL520L
Vishay Siliconix
IRL530L
Vishay Siliconix
IRL540L
Vishay Siliconix
IRL640L
Vishay Siliconix
IRLZ14L
Vishay Siliconix
IRLZ24L
Vishay Siliconix
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel