casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK65E10N1,S1X
codice articolo del costruttore | TK65E10N1,S1X |
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Numero di parte futuro | FT-TK65E10N1,S1X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK65E10N1,S1X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 148A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 32.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 192W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK65E10N1,S1X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK65E10N1,S1X-FT |
IRL3302L
Vishay Siliconix
IRL3402L
Vishay Siliconix
IRL3502L
Vishay Siliconix
IRL510L
Vishay Siliconix
IRL520L
Vishay Siliconix
IRL530L
Vishay Siliconix
IRL540L
Vishay Siliconix
IRL640L
Vishay Siliconix
IRLZ14L
Vishay Siliconix
IRLZ24L
Vishay Siliconix
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation