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codice articolo del costruttore | TK560A60Y,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK560A60Y,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSV |
TK560A60Y,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK560A60Y,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK560A60Y,S4X-FT |
IRFI634GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9530GPBF
Vishay Siliconix
RCX510N25
Rohm Semiconductor
IRFI9640GPBF
Vishay Siliconix
IRFI620GPBF
Vishay Siliconix
SPA08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
R6015FNX
Rohm Semiconductor
IRFI9620GPBF
Vishay Siliconix
IRFI614GPBF
Vishay Siliconix
R6008FNX
Rohm Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
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LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel