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codice articolo del costruttore | TK560A60Y,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK560A60Y,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSV |
TK560A60Y,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK560A60Y,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK560A60Y,S4X-FT |
IRFI634GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9530GPBF
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RCX510N25
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IRFI614GPBF
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R6008FNX
Rohm Semiconductor
XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
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AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
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A42MX24-1TQG176
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APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
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EP20K1000CF33C7N
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