casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFI614GPBF
codice articolo del costruttore | IRFI614GPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFI614GPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFI614GPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 23W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI614GPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFI614GPBF-FT |
RFD8P05SM
ON Semiconductor
SFR9014TF
ON Semiconductor
SFR9024TM
ON Semiconductor
SFR9034TF
ON Semiconductor
SFR9110TF
ON Semiconductor
SSR1N60BTM
ON Semiconductor
SSR1N60BTM-WS
ON Semiconductor
SSR1N60BTM_F080
ON Semiconductor
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel