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Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DB(STA4,Q,M)

Name: TK4A60DB(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4A60DB(STA4,Q,M)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (666 reviews)

Numero parte MFG: TK4A60DB(STA4,Q,M)

quantità disponibile: 77990 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: π-MOSVII MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK4A60DB(STA4,Q,M).pdf

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TK4A60DB(STA4,Q,M) specificazioni

codice articolo del costruttore	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Numero di parte futuro	FT-TK4A60DB(STA4,Q,M)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	π-MOSVII
TK4A60DB(STA4,Q,M) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK4A60DB(STA4,Q,M) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK4A60DB(STA4,Q,M)-FT

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