casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHG065N60E-GE3
codice articolo del costruttore | SIHG065N60E-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHG065N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHG065N60E-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG065N60E-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHG065N60E-GE3-FT |
IRFP460BPBF
Vishay Siliconix
IRFP360LCPBF
Vishay Siliconix
IRFP350LCPBF
Vishay Siliconix
SIHG32N50D-GE3
Vishay Siliconix
IRFP260PBF
Vishay Siliconix
SIHG25N40D-GE3
Vishay Siliconix
SIHG21N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHG47N60AE-GE3
Vishay Siliconix
IRFPE40PBF
Vishay Siliconix
IRFP440PBF
Vishay Siliconix
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel