casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFI4410ZPBF
codice articolo del costruttore | IRFI4410ZPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFI4410ZPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFI4410ZPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4910pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB Full-Pak |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI4410ZPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFI4410ZPBF-FT |
NP55N055SDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP55N055SUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N03SUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N04VUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N055VUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N03VHG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N03VLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N04VUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N04VUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N055VUK-E1-AY
Renesas Electronics America
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel