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Vishay Siliconix SQJ886EP-T1_GE3

Name: SQJ886EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ886EP-T1_GE3
Price: 0.544216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (90 reviews)

Numero parte MFG: SQJ886EP-T1_GE3

quantità disponibile: 64760 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.544216

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQJ886EP-T1_GE3.pdf

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SQJ886EP-T1_GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQJ886EP-T1_GE3
Numero di parte futuro	FT-SQJ886EP-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJ886EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 15.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2922pF @ 20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	55W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJ886EP-T1_GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQJ886EP-T1_GE3-FT

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