casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRFS3107TRL
codice articolo del costruttore | AUIRFS3107TRL |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFS3107TRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
AUIRFS3107TRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 195A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 140A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9370pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 370W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFS3107TRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFS3107TRL-FT |
BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS223PW L6327
Infineon Technologies
BSS223PWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS816NW L6327
Infineon Technologies
BSS84PW
Infineon Technologies
BSS84PW L6327
Infineon Technologies
SN7002W E6327
Infineon Technologies
SN7002W E6433
Infineon Technologies
SN7002W L6327
Infineon Technologies
SN7002W L6433
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel