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Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E

Name: TK10J80E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10J80E,S1E
Price: 1.98912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (583 reviews)

Numero parte MFG: TK10J80E,S1E

quantità disponibile: 44620 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.98912

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fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: π-MOSVIII MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK10J80E,S1E.pdf

TK10J80E,S1E specificazioni

codice articolo del costruttore	TK10J80E,S1E
Numero di parte futuro	FT-TK10J80E,S1E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	π-MOSVIII
TK10J80E,S1E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P(N)
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK10J80E,S1E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK10J80E,S1E-FT

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