casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TFSD100RJE
codice articolo del costruttore | TFSD100RJE |
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Numero di parte futuro | FT-TFSD100RJE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TFS |
TFSD100RJE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.315" x 0.035" Rectangular x 0.827" L (8.00mm x 0.90mm x 21.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TFSD100RJE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TFSD100RJE-FT |
TWM3J200E
Ohmite
TWM3J270E
Ohmite
TWM3J2K0E
Ohmite
TWM3J2K7E
Ohmite
TWM3J300E
Ohmite
TWM3J330E
Ohmite
TWM3J390E
Ohmite
TWM3J3K0E
Ohmite
TWM3J3K3E
Ohmite
TWM3J3K9E
Ohmite
A1020B-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FG484C
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81500AQC240-2
Intel