casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWM3J200E
codice articolo del costruttore | TWM3J200E |
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Numero di parte futuro | FT-TWM3J200E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM3J200E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J200E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWM3J200E-FT |
TWW3J15R
Ohmite
TWW3J1R0
Ohmite
TWW3J1R5
Ohmite
TWW3J20R
Ohmite
TWW3J27R
Ohmite
TWW3J2R0
Ohmite
TWW3J2R7
Ohmite
TWW3J30R
Ohmite
TWW3J33R
Ohmite
TWW3J39R
Ohmite
XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C3N
Intel
10M16SCE144A7G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F35E3SG
Intel
EP2A70F1020C7
Intel