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codice articolo del costruttore | TEH100M100RJE |
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Numero di parte futuro | FT-TEH100M100RJE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEH100 |
TEH100M100RJE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | 50ppm/°C |
temperatura di esercizio | - |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Dimensione / Dimensione | 0.620" L x 0.195" W (15.75mm x 4.95mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.825" (20.96mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TEH100M100RJE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TEH100M100RJE-FT |
TFSD100KJE
Ohmite
TFSD100RJE
Ohmite
TFSD10K0JE
Ohmite
TFSD1K00JE
Ohmite
TFSD1K50JE
Ohmite
TFSD20K0JE
Ohmite
TFSD270RJE
Ohmite
TFSD4K70JE
Ohmite
TFSD51K0JE
Ohmite
TFSD750RJE
Ohmite
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel