casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TA810PW510RJE
codice articolo del costruttore | TA810PW510RJE |
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Numero di parte futuro | FT-TA810PW510RJE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW510RJE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 510 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 180°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powerchip® |
Dimensione / Dimensione | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.020" (25.91mm) |
Numero di terminazioni | 4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW510RJE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TA810PW510RJE-FT |
TEH100M2R00FE
Ohmite
TEH100M7R50FE
Ohmite
TEH100M3R00FE
Ohmite
TEH100M20R0FE
Ohmite
TEH100M2R50FE
Ohmite
TEH100M100RFE
Ohmite
TEH100M15R0FE
Ohmite
TAH20P5K10JE
Ohmite
TAH20PR050JE
Ohmite
TAH20P75R0JE
Ohmite
EP3SL340H1152C2N
Intel
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFXP2-40E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP20K400BC652-1XV
Intel
EPF10K70RC240-2N
Intel
EPF6016QC240-2N
Intel
EP4SGX530HH35I4N
Intel