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codice articolo del costruttore | SUV85N10-10-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUV85N10-10-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUV85N10-10-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUV85N10-10-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUV85N10-10-E3-FT |
IRF9610
Vishay Siliconix
IRF9620
Vishay Siliconix
IRF9630
Vishay Siliconix
IRF9640
Vishay Siliconix
IRF9Z14
Vishay Siliconix
IRF9Z24
Vishay Siliconix
IRF9Z30
Vishay Siliconix
IRF9Z34
Vishay Siliconix
IRFB11N50A
Vishay Siliconix
IRFB13N50A
Vishay Siliconix
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel