casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFB13N50A
codice articolo del costruttore | IRFB13N50A |
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Numero di parte futuro | FT-IRFB13N50A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFB13N50A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1910pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB13N50A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFB13N50A-FT |
IRFBC40LCPBF
Vishay Siliconix
IRFBC40APBF
Vishay Siliconix
SIHP6N40D-GE3
Vishay Siliconix
IRFBC30PBF
Vishay Siliconix
IRFB18N50KPBF
Vishay Siliconix
IRFZ40PBF
Vishay Siliconix
SIHP065N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP30N60E-GE3
Vishay Siliconix
IRL630PBF
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation