casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUP50020E-GE3
codice articolo del costruttore | SUP50020E-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUP50020E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUP50020E-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP50020E-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUP50020E-GE3-FT |
ZXMN2F34MATA
Diodes Incorporated
IRF840APBF
Vishay Siliconix
IRFZ44PBF
Vishay Siliconix
IRF630PBF
Vishay Siliconix
IRF840PBF
Vishay Siliconix
IRF610PBF
Vishay Siliconix
IRF510PBF
Vishay Siliconix
IRF520PBF
Vishay Siliconix
IRF540PBF
Vishay Siliconix
IRF530PBF
Vishay Siliconix
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel