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Diodes Incorporated ZXMN2F34MATA

Name: ZXMN2F34MATA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2F34MATA
Availability: InStock
Rating: 4.8 (58 reviews)

Numero parte MFG: ZXMN2F34MATA

quantità disponibile: 71830 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ZXMN2F34MATA.pdf

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ZXMN2F34MATA specificazioni

codice articolo del costruttore	ZXMN2F34MATA
Numero di parte futuro	FT-ZXMN2F34MATA
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMN2F34MATA Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	277pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.35W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN322
Pacchetto / caso	3-VDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN2F34MATA Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ZXMN2F34MATA-FT

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